议室里气氛热烈个深奥些的问题曹玉暖的连续提问让会然一个博士实习ＵＳ．ＣＯＭ更新最快问题胡一亭都耐心解也不算丢人吧。起来，大家都觉得既生提出的Ｘ２３答，那自己提一两
心态下大家也变一一耐心作答。倦，个问题接踵而至，胡一得放松起来，一个亭对此也都毫不厌在这种
，胡一有了术底蕴和知识深度多个亭的技术背景已简直在回答经不能用成熟来形容，问题以后，众人对深！直观认识，大家终胡一亭的技了二十于明上博大精白可以称得
这种水平完验室首席科学这么多技术案例信于所长在会议桌的制程与芯片来，他对制程工艺有十几年国内自己成光所马佳光地专家！本不可能说高家的程度，没的掌握和对半导体实对这么多问题举见过的所有，一系列问题之全可以媲美西方顶级清楚地认识到，胡一亭旁安静听着，心中惊重若轻，对他后，设计功底，根异莫名手拈制程设备的理解，可以
时候在干“天才难道就是这嘛验室里泡大的不成？……”从小就在半导体实实在是呢……难道胡一亭是的释啊样的吗？他才18岁无法解啊……我18岁
头继续翻动自己做的干舌燥，眼看着胡一亭说的口大ppt。段落，便低下家的问题告一
新技。”“嗯，接下来我给大家术一个讲一下，这是我发明的
，生一听说又有怕漏过一丝信，在座的科学新技术们立刻竖起了耳家和工程师息。要诞生了朵
prom之后，关于存是我做的的地位越来越重，其中非挥发性存储器胡一亭指着投影屏幕道：的可擦除只读加速前进。丝存储器看到，从存“这存储器和非挥发性存储半导体技术并没储器e有了不前，而是正在不断毫裹足线图，大家可以国际上的储器技术发要，从1970年诞生展的一个路现了挥发性以浮空多晶硅栅为基础存储器诞生以后，出
统上取下后代物是后来出现的电可eprom需要从系次擦除都完全抹去所不方便，目前已经有信息，这样使用很进行擦除，且每路中灵活编程。擦除eeprom，从暴露于紫外光下逐渐退出市场。它的替此存储器就实现了在电
商一器技术突破。元的存储信息来非常看好，西方技界对m的基础上，memoryemor各大厂之后在eepro只能操作单字节擦除的ry技术的开发，国于这件的未同时擦除全部阵列单，因此目前围y，比起每次都试图在这一领域取得存储器flash-m又发展出了快闪可以允许际上绕flash-memo已经形成eeprom，ash-了一股潮流，科
制程线宽所以只有采用不断度很高，面积目前来说难做大，才能把闪存做的更大，国际上认为，只在样大小，因为芯片面积想要上做文章增加本上升有带来的成曲线是最先进的线宽才能在同多的存储单元。，陡峭的，非常划不来的闪存颗粒上集成更
，按照片的容量被摩尔定律是说闪存芯量要摩尔定律的升级速度，锁住了。是很慢的晶体管数翻，也就宽的提升18个月才能翻但是我们应该明白，制程线
的！这是不可以接受
来说是无法接们受的！我们决不。”至少对于我能被摩尔定律捆住手脚这些搞技术的人
那么多，怎么可能提摩尔定律，这大话可就你就此言是把设高说的太离谱了，不一出，大家，可你要挑战亭是牛，这我们承认提高线宽的前提下，都愣住了，心说你胡一计做出花来，晶体存储容量呢？管数量也还是
是我思考出的续道：“其实方法是困惑，继的新技术。”突破闪存容量上绍的就胡一亭知道大家的介有的，我今天要一种限
片，“目前国际上有些胡一亭发性存储器；第二种是；第三种是单电子专家ppt图对此阐述过一些技术，切换来有三种，一种是也纳米存储器我总结下非挥质子存储器。
十年内概念。”的是些目前都是科幻小我们不要说操密仪器实现单电子行去考虑在谁都不知道要纵，这都可以，但少量晶体管质子这些怎样的设备和工艺去进大规模制面积的工程应用用想，因为无论从材料做不出来就等于白说至少三说里才能实现的技术，证可一两个碳纳米管验上就行不通了，大造，所以这一到工程，这些都不靠谱，我存储性能，或者用精实存储实验，或者用学还是从工程学角度，验室里进行，现看不到商业应用的前景
续切换ppt，的浮栅结构，发展⣍memo的电荷俘获原理，“目前我们能做的只有通过改进传统容的新技续依靠半导继续在flasry技术上进行发展体器件，继普通逻辑工艺相兼术。胡一亭继与
称之为m我个人这次发为sin工ash-mel，简称mlc，而传统slc。ry闪存gle-level-明的这种新技术，我ulticell，简称-level-cel艺我称之
术是多层式存储。”者区别在于传统slc，而我发明的mlc技是单层式存储顾名思义，这两
。趣完全被他调动起来室骚动起来，大家的兴胡一亭说完，整个会议
起做封装？这要怎么搞？是不是把两个赵赫芯？”存储究竟是怎么：“胡总，这个多层回事片叠在一激动道
胡一是量而已，价亭笑道：“别急别急，格也只会想的那样我这就说，但不加封装只能增加单芯片容存成本更加昂贵，和我说，p降低闪事。”你封装工艺并不能，两片颗粒叠op叠层的mlc构造是两码
说着胡一亭切了一般做出的简图介绍始对着自己昨晚鬼画符。起mlc构造的特点来张自制的ppt，开
薄带电就是这是常识了。1，不带电就是0，陷阱密度，可以捕获电硅具有极高的电子氧化层、氮化硅、屏障子，达膜，这三层三层绝缘“大家看啊，这个中氮化到存储电荷的目的，薄膜分别是隧穿氧化层，其多晶硅栅下面是
我们都进行写。用价带间的空边缘的氮化硅，消除电注入沟道边缘种是空穴，我们在对完成了载流子，一的氮化硅，这单元成了写入过程。在作擦样就完法，将热电子除时，利子注入擦除穴，将空穴注入沟道入操作时，采用热电种是电子，一荷，就知道半导体中有两种
，大家看图，由于化硅的绝现有的f，一lash-memor全部不带电就是道其中一侧进行单独子效应产生的电子被注入并限制在沟道缘性，热只能擦除，了一倍！”艺改变的前提下，让边缘，这样一接下来我说关键点，两侧沟道一旦全部带y容量增加不进行复是10，于是我们就在杂工就会出现四种情况旦把两侧沟种是01，一种电就是11，氮电00，可我们一来
后全都开始叫好称赞鼓掌。胡一亭无措，接着便开始坐立对着图片解释不安，最里一片哗然，科学家工起来，甚至有觑，随即手足人开始程师们先是面面相完之后，会议室
其中赵赫更是欢喜的抓胡总你太神了，你利啊！是重光的专利耳挠腮，他利！”想急忙道：“啊！我们得赶紧出来的！这可是实验！赶紧这是怎么专写论文申请专去了理智，已经被胡一亭勾引的失
以前就没人想到呢！你设想是天才！我就知道你路子怎么真棒的！”曹玉暖也欢喜最是的鼓起了掌太完美了！我觉得可行！真的可行！这个：“胡一亭你的
产品公司搞出人牙慧罢来的sonos-fa在97年9月正制程！多电压控制式公布并申请专利，同想时应用到他们的中着大家的兴奋劲，心技术推向tlc和3d，彻底统治ml存专利市场，直到把且今设计，自己不过是拾术的mcl产品极多栅闪存-nand出来的啊，这是以这哪是我想的c闪了。而闪存色列saifun胡一亭看层注入电荷技lsh技术，被英特尔后自己还将拿出另一种
有个问题，你这接下来怎么一搞，的确让一个存问道：“胡总，我储单位可以承载四息么这时奚龙山突然开口呢？”翻了一倍，可个信，比以前读取
胡一亭笑了的解码电路设计我已经c的芯片设计有了腹稿，这的电压是不同的呀，！”程的设计拿出来，下周就能进行制程工艺流数据就行，根据我的初步设计，可c进行第一次工程流片就5v-4v设定款芯片的初步经把slc芯改良完成，本周我，用于读取并解v到把这款ml片设计以把0.设定为11析起来：“这四种情况设计我已经胸有成竹6v设定为00，具体我们只，上周我已底，我们就对这款ml，2.为10，最晚月，设定为01，5.5要设计出一套解码电路
着业！重光的专利将永纳给国亭意气风受的英特尔和东举起右手指他们的钱！”告诉大家！重光将！而这项专利赚成为世界上第必将！并很有可能反过来发，高高一家采用mlc技术的际闪存技目前所术联盟的专利费载史册抵消我们需缴闪存设计企说完胡一芝的闪存专利束缚，让我们得以摆脱天花板：“我
也……”拢嘴奚龙山惊真神人声感慨道：“胡总……哆嗦着，轻讶的合不，上唇