一觉得既然一个博士实都习生提出的问题胡来，大家奥些的问题也不答，那自己提一两个深曹玉暖的连续提问让吧。Ｘ２３Ｕ算丢人Ｓ．ＣＯＭ更新最快会议室里气氛热烈起亭都耐心解
而至，胡一亭对此也都毫放松起来，心态下大家。一耐心作答一个个问题不厌倦，一在这种也变得接踵
对胡一亭的技在回答识，大家终于明白，题以后，众用成熟来形容，人术背景已经不能识深度有了直观认术底蕴和知深！胡一亭的技了二博大精简直可以称得上十多个问
工艺的掌桌旁安静地的程度案例信心中惊异莫多问题举重若轻，对这认识到，胡一亭这种水制程与芯片设计功说高于国内自己，他清楚地他对制程听着，解，首席科学家方顶级半导体实验室握和对制程设备的理，没有十几年的平完名，一系列问题之后见过的所有专家！可以手拈来，全可以媲美西么多技术成光所马对这么佳光所长在会议底，根本不可能
体实验室里泡大在是无法解释啊…小就在半导“天才难道就是这？他才18岁啊……我18岁的时候在呢……难…”一亭是从道胡的不成？实样的吗干嘛
段落，便低下头继续翻口干胡一亭说的燥，眼看着大家的问题舌告一动自己做的ppt。
家讲一下，这是“嗯，接下来我给大我发明的一个新技术。”
一听说又有耳朵，生怕漏过一丝信程师们立刻竖起了学家和工在座的科新技术要诞生了，息。
从存储器只读存储器ep970年诞生了以没有丝栅，国际上的存储半导这是我为基础的可屏幕道中非挥发性存储器的现了挥发性存储个：“诞生以关于存储器技术发展的浮空多晶硅胡体技术并后m之一亭指着投影地位越来越重要，从1做的毫裹足不前，而擦除前进。路线图，大家可以存储器，其是正在不断加速看到，后，出一器和非挥发性
次擦除都完全抹现的电可擦除eep活编程。此存储去所有信息rm需要从系统上取下后光下进行om，从使用很不方便，，且每目前已经逐渐退出市场。它的替代物是后来出，这样暴露于紫外epro器就实现了在电路中灵擦除
一器，因此除全部阵列单flash-m域取得技术突破。起每次只厂商都试图在这一领前围绕，国际上已经形成技界对于这了一股潮流，科在eeprom的基元的存储信息ash-memo𘫵闪存储能操作单字节器flry，比件的未擦除的eeprom，flash-mory可以允许同时擦emory技术的开发之后来非常看好，西方各大础上，又发展出了快目
线宽上做文章认为，只有不断在制程闪存做的更大，因为芯的闪存颗粒陡峭的，非常同样大小片面积想要做大难线是上集成更多的存储单最先进的线宽才能在，国际上划不来，所以只有采用目前来说的成本上升曲元。，才能把度很高，面积增加带来
闪存芯片的容量被摩尔定律，也就是说的升级速度，晶体管要18个月才能翻翻锁住了。照摩尔定律但是我们应该明白数量，制程线宽的提升是很慢的，按
这是不可以接受的！
。”定律捆住手脚们决不能被摩尔受的！我些搞技术的人来说至少对于我们这是无法接
是那么多，怎么可能宽的前提下，提高存储容量呢？高线承认，可你要不提计做出就说的管数量也还都愣住了花来，晶体你就是把设，心说你律，这大话可此言一出，大家挑战摩尔定太离谱了，胡一亭是牛，这我们
就是我思考出的一种突胡一亭知道大家破闪存容量上限有的，我今天要介绍的：“其实方法是的困惑，继续道的新技术。”
是质子非挥发性存储些专家国际上有过一些技术，我结下也器；第三种是单电子存储图片，“目前来有三种，一种总对此阐述胡一亭切换ppt器；第二种是纳米存储器。
工程纳米管验证可这些都不靠谱，至少三，或者用大规模制造艺去业应用的前景，因为无设备和工这些概念。”白说，现在谁都密仪器实不知道要用怎样十年内看不到商论从材料学还是从行不通学角度，这些目进行储实验性能，或者用精进行少量晶体管质子存实现的技术，实验的存储一两个碳室了，大面积的工我想说的是，现单电子操纵但一，所以我们不要去考虑里前都是科幻小说里才能，这都可以，到工程上就程应用做不出来就等于
行发展，继续依靠半导emory技术上进理，通过改进传统的体器件的电荷胡一亭继续切换ppt的只有继艺相兼容的新技术。，发展与普通逻辑工续在flash-m俘获原浮栅结构，“目前我们能做
存工艺我称之为sin技术ash-memle-leveg-cell，简次发明的这种新我个人这，我称之为m𘌝。ll，简称slcory闪-level称mlc，而传统fl⩝
在于传统slc顾名思义技术是多层明的mlc式存储。”，这两者区别是单层式存储，而我发
大家的兴趣完胡一亭说完，整个会议室骚动起来，全被他调动起来。
做封装？这要怎么多层存储究竟是怎一起回事？是不是把两个芯片叠在赵赫激动道：“胡总，这个么搞？”
存成本，两片颗粒叠加那样，pop叠层封亭笑道：“别急别急，封装只能增是两码事。”单芯片容量而已，价格贵，和我说的mlc构造胡一会更加昂加，但不是你想的装工艺并不能降低闪我这就说也只
始己昨晚特点画符般做出的简图来。切了一张自制的开鬼说着胡一亭ppt，介绍起mlc构造的对着自
层、氮化硅、屏障氧化分硅栅下面是绝缘薄膜，这三层薄的目的，带穿氧化获电子，达到存储电荷膜层，其，可以捕别电就是1，不带电电子陷阱密度是隧“大家看啊，这个多晶这是常识了。三层极高的就是0，中氮化硅具有
缘的氮化硅，消除电种是电子，一种是空穴知道半导体中氮化硅，这样就完成热电子注入沟道边缘的，一空穴注入沟道边法，将电子注入过程。在作擦除时，有两种载流子了写入我们都利用价带间的空穴，将荷，就完成了擦对单元进行写入操作时，我们在，采用热除。
一种emor注入并限制，这样一来，两侧，于是我们就在不进行电子情况键点，大家看图，由是1效应产生的电子只y容量增加了我说关复杂工艺改变的前沟道一旦全部带电就是11，全部擦除，就会出现四种在沟道边缘硅的绝缘性，热接下来于氮化其中一侧进行单独一倍！”的flash-m们一旦把两侧沟道，一种是01，不带电就是00，可我0能被提下，让现有
便足无措，接着学家工程师们哗然，科都解释完之后，会议先是面至开始坐立不安，最后全室里一片开始叫好称赞起来，甚胡一亭对着有人开始鼓掌。图片面相觑，随即手
么想出来这可是专利啊！是：“胡总你太神了写论其中赵赫更是欢喜的抓亭勾引的请专利！”我们得赶紧实验！赶文申重光的专利啊！失去了理智，急忙道耳挠腮，他已经被胡一紧的！，你这是怎
知道你掌：“美了”！！我觉得可行！真也欢喜的鼓胡一亭你的设想太完是最棒的的可行！这个想到呢！你真是天路子怎么以前就没人！我就起了才曹玉暖
场，直到把闪存技术7年9月正式onos-fals想这哪是我想出来的啊时应用到他们的闪，同胡一亭看着大h技术，被英特尔在9牙慧罢了。而且今后自产品，彻底家的兴奋劲，心，这利荷技术的mcl己还将拿出另一种多电公司搞出来的s存产品中的设计公布并申请专统治mlc闪存专利市，自己不过是拾人推向tlc和3d-nand制程！压控制栅极多层注入电是以色列saifun
问题，你这么以承载四个信息，比，的确让一？”读取呢来怎么以前翻了一倍，可接下这时奚龙山突然开口一搞问道：“胡总，我有个个存储单位可
周就能进行制程工艺流，我们只要设计出一套设计，最晚月底，我们的初步设设计我已经胸有成.设定为11，这款mlc的芯取并解析就把就对这款mlc进行第据就行，根据我电压是不同的呀四种情况的10，已经2.5v-4v设定为完成，本周一次工程流片！”竹，上周片设计拿出来，下片的初步解码电路，用于读数00，具体的胡一亭笑了起来：把slc“这我程的芯片设计改良我解码电路稿，这款芯设计我已经有了腹设定为01，5.5到6v设定为计，可以把0v
技术的闪存设计企而这项专利必将让我目前“我缴纳给国际闪存技们得以钱载史册！专利束缚，抵消我们需！”告诉大说完胡一亭意利将永花板：专利费！并很有可能反过来赚世气起右手指着天他们的摆脱举术联盟的业！重光的专为家！重光将成所受界上第一家采用mlc的英特尔和东芝的闪存风发，高高
“胡总……真神人也…哆山惊讶的合不嗦着，轻声感慨道：拢嘴，上唇奚龙…”